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锂电知识

18650锂电池保护板设计方法是什么?

来源:云更新 时间:2021-08-04 09:15:45 浏览次数:

 在锂电池维护板畸形的情况下,Vdd为高电平,Vss,VM为低电平,D  O、CO为高电平,当Vdd,Vss,VM一项参数变换时,DO或CO真个电平将产生变更。 1、畸形状况 在畸形状况下电路中N1的......

 在锂电池维护板畸形的情况下,Vdd为高电平,Vss,VM为低电平,D  O、CO为高电平,当Vdd,Vss,VM一项参数变换时,DO或CO真个电平将产生变更。 1、畸形状况 在畸形状况下电路中N1的 ;CO ;与 ;DO ;脚都输出高电压,两个MOSFET都处于导通状况,电池可能自由地进行充电跟放电,因为MOSFET的导通阻抗很小,通常小于30毫欧,因此其导通电阻对电路的机能影响很小。此状况下维护电路的消耗电流为μA级,通常小于7μA。 2、过充电维护 锂离子电池请求的充电方法为恒流/恒压,在充电初期,为恒流充电,随着充电进程,电压会回升到4.2V(依据正资料不同,有的电池请求恒压值为4.1V),转为恒压充电,直至电流越来越小。电池在被充电进程中,假如充电器电路失去把持,会使电池电压超过4.2V后连续恒流充电,此时电池电压仍会连续回升,当电池电压被充电至超过4.3V时,电池的化学副反应将加剧,会导致电池破坏或呈现保险问题。在带有维护电路的电池中,当把持IC检测到电池电压达到4.28V(该值由把持IC决定,不同的IC有不同的值)时,其 ;CO ;脚将由高电压转变为零电压,使V2由导通转为关断,从而切断了充电回路,使充电器无奈再对电池进行充电,起到过充电维护作用。而此时因为V2自带的体二管VD2的存在,电池可能通过该二管对外部负载进行放电。在把持IC检测到电池电压超过4.28V至发出关断V2信号之间,还有一段延时时光,该延时时光的是非由C3决定,通常设为1秒左右,以避免因烦扰而造成误判断。 3、过放电维护 电池在对外部负载放电进程中,其电压会随着放电进程逐步降落,当电池电压降至2.5V时,其容量已被完全放光,此时假如让电池连续对负载放电,将造成电池的永恒性破坏。在电池放电进程中,当把持IC检测到电池电压低于2.3V(该值由把持IC决定,不同的IC有不同的值)时,其 ;DO ;脚将由高电压转变为零电压,使V1由导通转为关断,从而切断了放电回路,使电池无奈再对负载进行放电,起到过放电维护作用。而此时因为V1自带的体二管VD1的存在,充电器可能通过该二管对电池进行充电。因为在过放电维护状况下电池电压不能再降落,因此请求维护电路的消耗电流小,此时把持IC会进入低功耗状况,全部维护电路耗电会小于0.1μA。在把持IC检测到电池电压低于2.3V至发出关断V1信号之间,也有一段延时时光,该延时时光的是非由C3决定,通常设为100毫秒左右,以避免因烦扰而造成误判断. 4、短路维护 电池在对负载放电进程中,若回路电流大到使U>0.9V(该值由把持IC决定,不同的IC有不同的值)时,把持IC则判断为负载短路,其 ;DO ;脚将敏捷由高电压转变为零电压,使V1由导通转为关断,从而切断放电回路,起到短路维护作用。短路维护的延时时光短,通常小于7微秒。其工作原理与过电流维护类似,只是判断方法不同,维护延时时光也不一样。除了把持IC外,电路中还有一个重要元件,就是MOSFET,它在电路中起着开关的作用,因为它直接串接在电池与外部负载之间,因此它的导通阻抗对电池的机能有影响,入选用的MOSFET较好时,其导通阻抗很小,电池包的内阻就小,带载才干也强,在放电时其消耗的电能也少。 5、过电流维护 因为锂离子电池的化学特点,电池生产厂家划定了其放电电流不能超过2C(C=电池容量/小时),当电池超过2C电流放电时,将会导致电池的永恒性破坏或呈现保险问题。电池在对负载畸形放电进程中,放电电流在经过串联的2个MOSFET时,因为MOSFET的导通阻抗,会在其两端产生一个电压,该电压值U=IRDS2,RDS为单个MOSFET导通阻抗,把持IC上的 ;V- ;脚对该电压值进行检测,若负载因某种起因导致异样,使回路电流增大,当回路电流大到使U>0.1V(该值由把持IC决定,不同的IC有不同的值)时,其 ;DO ;脚将由高电压转变为零电压,使V1由导通转为关断,从而切断了放电回路,使回路中电流为零,起到过电流维护作用。在把持IC检测到过电流产生至发出关断V1信号之间,也有一段延时时光,该延时时光的是非由C3决定,通常为13毫秒左右,以避免因烦扰而造成误判断。在上述把持进程中可知,其过电流检测值大小不仅取决于把持IC的把持值,还取决于MOSFET的导通阻抗,当MOSFET导通阻抗越大时,对同样的把持IC,其过电流维护值越小。